Netac, 8GB Basic DDR4 SODIMM

ოპერატიული მეხსიერება

მოცულობა (RAM)

8 GB

მეხსიერების ტიპი (RAM)

DDR4

სიჩქარე (RAM)

3200 MT/s

CAS ლატენტობა

CL22

აბსოლუტური მაქს. DC პარამეტრები

ძაბვა VDD პინზე Vss-ის მიმართ

-0.3 ~ 1.5 V

ძაბვა VDDQ პინზე Vss-ის მიმართ

-0.3 ~ 1.5 V

ძაბვა VPP პინზე Vss-ის მიმართ

-0.3 ~ 3.0 V

ძაბვა ნებისმიერ პინზე, VREFCA-ს გარდა, Vss-ის მიმართ

-0.3 ~ 1.5 V

შენახვის ტემპერატურა

-55 to +100 °C

DRAM კომპონენტის სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი

ნორმალური სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი

0 to 85 °C

გაფართოებული ტემპერატურის დიაპაზონი

85 to 95 °C

რეკომენდებული DC სამუშაო პირობები

კვების ძაბვა

Min. 1.14;
Typ. 1.2;
Max. 1.26;
V

გამოსასვლელის კვების ძაბვა

Min. 1.14;
Typ. 1.2;
Max. 1.26;
V

DRAM-ის აქტივაციის კვების ძაბვა

Min. 2.375;
Typ. 2.5;
Max. 2.75;
V