Перейти к основному содержимому
AllDigital

Сравнить
Назад

Код товара: #ALL-005769

MZ-V9V1T0BW, SAMSUNG, M2 SSD, 990 NVMe 1TB PCIe® 4.0, R, 150MB/s, W 6,450MB/s

Samsung

MZ-V9V1T0BW, SAMSUNG, M2 SSD, 990 NVMe 1TB PCIe® 4.0, R, 150MB/s, W 6,450MB/s

  • ИнтерфейсNVMe PCIe 4.0
  • Форм-факторM.2 2280
  • Последовательное чтение7150 MB/s
630 ₾

С НДС

  • В наличии
630 ₾

С НДС

  • В наличии
Количество
1

В наличии: 1 шт.

ОплатаКартойБанковским переводом
Техническая документация (откроется в новой вкладке)

Сравнить с похожими

Полное сравнение

Описание

Samsung MZ-V9V1T0BW არის 1 TB ტევადობის SSD დისკი M.2 2280 ფორმფაქტორით. ის უერთდება NVMe PCIe 4.0 ინტერფეისით.

დისკის თანმიმდევრული კითხვის სიჩქარეა 7150 MB/s, ჩაწერის 6450 MB/s. შემთხვევითი ოპერაციების მაჩვენებელია 700K IOPS კითხვაზე და 1 100K IOPS ჩაწერაზე.

ძირითადი უპირატესობები:

  • ტევადობა: 1 TB
  • ინტერფეისი: NVMe PCIe 4.0
  • ფორმფაქტორი: M.2 2280
  • თანმიმდევრული კითხვა: 7150 MB/s
  • თანმიმდევრული ჩაწერა: 6450 MB/s
  • შემთხვევითი კითხვა: 700K IOPS, შემთხვევითი ჩაწერა: 1 100K IOPS
  • ჩაწერის რესურსი: 400 TBW, MTBF: 1 500 000 სთ

Характеристики 9

Открыть PDF со спецификацией(откроется в новой вкладке)

Ёмкость

Ёмкость
1 TB

Интерфейс и форм-фактор

Интерфейс
NVMe PCIe 4.0
Форм-фактор
M.2 2280

Производительность диска

Последовательное чтение
7150 MB/s
Последовательная запись
6450 MB/s
Случайное чтение (IOPS)
700K IOPS
Случайная запись (IOPS)
1,100K IOPS

Ресурс

Ресурс записи (TBW)
400 TB
Наработка на отказ (MTBF)
1 500 000 ч

Похожие товары